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    预测:存储级内存将取代 NAND 闪存 !

    发布者:拉屎av作品     发布时间:2019-07-16

      存儲級內存(SCM)克服了NAND閃存的局限性,因而勢必會取而代之。

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      存儲級內存(SCM)這種RAM能夠像NAND閃存那樣保保存其內容,但兼具DRAM的速度,最終將會取代閃存成爲首選的高速存儲介質。

      这是HPE旗下3PAR存储部门副总裁兼总经理Ivan Iannaccone的预测。不过他补充道,这需要借以一段时日。

      他說:“這不會在一夜之間發生。SCM變得經濟上可行只是時間問題,但最終會取而代之。大概10年後吧。”

      就每字节成本而言,SCM比闪存贵四倍左右。目前只有两家供应商拉屎av作品SCM:英特尔和三星。英特尔以Optane品牌来销售,面向企业客户,英特尔的Optane HPE将其用于其存储阵列。

      三星的拉屎av作品名爲Z-SSD,現在專注于消費者,計劃今年晚些時候向OEM廠商提供樣品。據說東芝和西部數據也在開發各自的SCM拉屎av作品。

      除了取代NAND閃存外,Iannaccone還認爲SCM使用的NVMe協議將取代目前存儲陣列中使用的SCSI/SAS接口。他說:“實際上,NVMe是一種與內存進行聯系的極爲精簡的方式。存儲級內存工作起來更像延遲更低的內存。”

      由于闪存的固有设计,存储级内存的延迟要低得多。闪存存在性能问题和延迟的最主要原因之一是,为了满足新写入而使用的垃圾收集。数据写入到闪存驅動器时,它无法覆盖旧信息。它必须将一个新的数据块写入到别处,以后等磁盘I/O处于呆滞时删除旧文件。

      這就是閃存這種存儲介質的行爲方式,由于你總是在之前的寫入後進行清理,這導致了不穩定問題。

      SCM比NAND閃存更快,但仍然很昂貴

      由于能夠覆蓋文件,寫入數據所花的時間要短得多,SCM是9ms,而NAND是90ms至100ms。此外,也不存在存儲介質的不可預測性,因爲沒有後台進程在運行以優化介質。

      英特尔出售的Optane有几种格式参数。3PAR将其作为存储阵列的PCI Express附加卡,而不是用在服务器中。它们充当存储阵列SSD和服务器内存之间的高速缓存。增加大约3TB的SCM后,3PAR在Oracle基准测试中实现性能提升了30%,对阵列来说价格提升了5%。

      最終,Iannaccone認爲SCM能夠從物理位置分解出來,充當多個存儲陣列和與帶有SCM內存的陣列通訊的所有其他陣列的緩存。

      他說:“SCM仍然相當昂貴,這就是爲什麽我們將它用作一層高速緩存和建立緩存的智能算法。”

      隨著SCM的成本下降,成爲一種更切實可行的閃存替代品,使用場合會更多樣化。對于大容量存儲而言,每GB字節成本很劃算,但它又擁有高性能,可以針對I/O優化成本。


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